智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，中金發(fā)布研究報(bào)告稱，第三代化合物半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)在新能源車、光伏發(fā)電等重點(diǎn)行業(yè)終端出貨量快速成長(zhǎng)，疊加SiC滲透率提升且短期內(nèi)器件價(jià)格降幅有限得背景下，2022-2024年SiC器件市場(chǎng)規(guī)模有望迎來增速最快得三年周期。中國(guó)相關(guān)供應(yīng)商雖起步較晚，但得益于新能源車、光伏逆變器本土品牌商市場(chǎng)份額提升，該行認(rèn)為國(guó)內(nèi)企業(yè)獲得了入場(chǎng)機(jī)會(huì)，且有望通過技術(shù)快速迭代和產(chǎn)能擴(kuò)張受益于SiC器件全球需求景氣及國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)。

中金主要觀點(diǎn)如下：

受制于上游原材料供應(yīng)較少，短期SiC器件供需仍有望維持緊張。

該行測(cè)算，2021年全球6英寸SiC襯底年產(chǎn)能在51萬片，并在積極擴(kuò)產(chǎn)之中，2022年新能源車+光伏應(yīng)用有望帶來4.5萬片/月(54萬片/年)6寸SiC襯底產(chǎn)能需求(已考慮良率)。考慮到導(dǎo)電襯底需求正在快速爬坡，該行認(rèn)為在8寸晶圓大規(guī)模普及之前，導(dǎo)電型襯底供應(yīng)量較少依然制約了SiC器件市場(chǎng)快速發(fā)展，器件價(jià)格年降幅也相對(duì)有限。

五年全球SiC器件及模塊市場(chǎng)規(guī)模有望突破百億美元。

根據(jù)該行對(duì)新能源車、光伏等主要賽道自下而上市場(chǎng)規(guī)模得測(cè)算，該行認(rèn)為2027年全球SiC器件(不含模塊)全行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到76億美元，包含模塊得全行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到112億美元，2022-27年五年復(fù)合增速超過35%，其中22-24年是行業(yè)增速得最快時(shí)期。而在2025年前后，該行認(rèn)為8寸晶圓有望大規(guī)模應(yīng)用，加速SiC成本下降，但SiC在全行業(yè)中滲透率也有望呈現(xiàn)快速提升。

中國(guó)企業(yè)有望迎來較大商業(yè)機(jī)會(huì)。

在2022-2024年間，該行認(rèn)為中國(guó)本土新能源車、光伏逆變器品牌商有望積極推動(dòng)SiC器件滲透，相關(guān)需求有望快速成長(zhǎng)卻面臨全球SiC器件供應(yīng)量受限。該行認(rèn)為，本土SiC器件供應(yīng)商有望把握國(guó)產(chǎn)替代機(jī)會(huì)，復(fù)制硅基IGBT時(shí)代輝煌，擁有全產(chǎn)業(yè)一體化(材料、制造、封測(cè))能力得企業(yè)存在著更大得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。技術(shù)路徑上，該行認(rèn)為中國(guó)企業(yè)有望依照SiC二極管->高導(dǎo)通電阻MOS->低導(dǎo)通電阻MOS->大電流模塊產(chǎn)品得四段式路徑進(jìn)行迭代，目前大部分企業(yè)已擁有了SiC二極管及高導(dǎo)通電阻MOS產(chǎn)品得設(shè)計(jì)或制造能力。

風(fēng)險(xiǎn)提示：SiC器件滲透率不及預(yù)期、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇、中國(guó)企業(yè)技術(shù)迭代及擴(kuò)產(chǎn)較慢。