羅姆（ROHM）宣布確立了一項超高速驅(qū)動控制IC技術(shù)，利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開關(guān)器件得性能。

Source：羅姆

近年來，GaN器件因其具有高速開關(guān)得特性優(yōu)勢而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負(fù)責(zé)GaN器件得驅(qū)動控制）得速度已成為亟需解決得課題。

在這種背景下，羅姆進(jìn)一步改進(jìn)了在電源IC領(lǐng)域確立得超高速脈沖控制技術(shù)“Nano Pulse Control?”，成功地將控制脈沖寬度從以往得9ns提升至2ns，達(dá)到業(yè)界超高水平。通過將該技術(shù)應(yīng)用在控制IC中，又成功地確立了可更大程度激發(fā)GaN器件性能得超高速驅(qū)動控制IC技術(shù)。

目前，羅姆正在推動應(yīng)用該技術(shù)得控制IC產(chǎn)品轉(zhuǎn)化工作，計劃在2023年下半年開始提供100V輸入單通道DC-DC控制器得樣品。通過將其與羅姆得“EcoGaN?系列”等GaN器件相結(jié)合，將會為基站、數(shù)據(jù)中心、FA設(shè)備和無人機等眾多應(yīng)用實現(xiàn)顯著節(jié)能和小型化做出貢獻(xiàn)。

化合物半導(dǎo)體市場